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LS26VNS N 溝道單 JFET 壓控電阻器具有漏源電阻，該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = -1.0V時，最小RDS為14 Ω。當VGS接近時，-6.0V RDS的夾斷電壓迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。對于 P 通道版本，請參閱我們的LS26VPS。N 溝道和 P 溝道部件均由相同的芯片幾何形狀制成，因此具有互補性。該器件采用 TO-92 3L RoHS、SOT-23 3L RoHS 和 DFN 8L RoHS 封裝以及裸片形式。

訂購信息

以下是訂購此部件時的選項：

LS26VNS TO-92 3L RoHS

LS26VNS SOT-23 3L RoHS

LS26VNS DFN 8L RoHS

特性

?連續(xù)電壓控制電阻

?高關閉隔離

?高輸入阻抗

?增益測距能力

?簡化的驅動電壓能力

?無電路交互

?寬范圍信號衰減

好處

?寬范圍信號衰減

?增益測距

?簡化柵極驅動

?高擊穿電壓

?無電路交互

應用

?可變增益放大器

?自動增益控制

?壓控振蕩器

?小信號衰減

?濾波器范圍控制

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LS26VNS N溝道JFET壓控電阻器