JIZZJIZZ日本老师水多_影音先锋国产中文资源站_69日本人XXXX护士HD_亚洲一区视频在线观看_99re热免费精品视频观看导航_国产成人精品一区二三区韩国_欧美国产日韩激情_亚洲精品久久AV无码一区二区_狂野欧美性猛交免费视频

Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

發(fā)布時間：2025-02-25 09:17:16     瀏覽：285

　　2N2880是一款由Solitron Devices公司生產的NPN型功率晶體管，采用TO-59封裝形式。它具有低導通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅動需求等特點，廣泛應用于高壓逆變器、轉換器、開關穩(wěn)壓器和線路驅動放大器等設備中。

Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

　　2. 主要特性

　　符合軍用標準：符合MIL-PRF-19500/315標準，適用于高可靠性應用。

　　低導通電阻：降低功率損耗，提高效率。

　　低飽和電壓：在高電流下保持低電壓降。

　　高頻率響應與快速切換：適用于高頻開關應用。

　　高電流增益：提供穩(wěn)定的電流放大能力。

　　安全工作區(qū)域：在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運行。

　　高頻應用：適用于開關電源和高頻逆變器。

　　3. 電氣參數(shù)

參數(shù)符號最小值最大值單位
集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO-80Vdc
集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO-110Vdc
發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO-8Vdc
集電極-發(fā)射極截止電流ICEO-20μA
發(fā)射極-基極截止電流IEBO-0.2μA
正向電流傳輸比hFE40120-
集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)0.251.5Vdc
基極-發(fā)射極飽和電壓VBE(sat)-1.2Vdc
熱阻RθJC-3.33°C/W
輸出電容Cobo-150pF
脈沖上升時間tr-300ns
脈沖下降時間tf-300ns

　　4. 封裝與尺寸

　　封裝類型：TO-59

　　尺寸：2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長*寬*高)

　　5. 應用領域

　　2N2880適用于以下領域：

　　高壓逆變器：用于高效能量轉換。

　　開關電源：提供快速切換能力。

　　高頻轉換器：適用于高頻電路設計。

　　線路驅動放大器：用于高電壓放大應用。

　　6. 訂購信息

　　2N2880提供多種訂購選項，包括：

　　JAN2N2880

　　JANTX2N2880

　　JANTXV2N2880

推薦資訊

  • DEI線路接收器DEI1049
    DEI線路接收器DEI1049 2022-08-12 17:11:49

    DEI1049?是個BiCMOS元器件，包括八個差分線路接收器。每個接收通道將輸入的ARINC429數(shù)據(jù)總線信號(三電平RZ雙極差分調制)轉換成一對TTL/CMOS邏輯性輸出。每個通道單獨運轉，并滿足ARINC429數(shù)字信息傳輸標準化的要求。

  • ADI晶圓化合物半導體材料
    ADI晶圓化合物半導體材料 2021-03-18 17:13:47

    ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進入晶圓制造流程以生產制造半導體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。

在線留言

在線留言

 穆棱市| 屯留县| 府谷县| 嫩江县| 齐齐哈尔市| 大埔县| 神农架林区| 乳山市| 陆丰市| 房山区| 内黄县| 绿春县| 蓝田县| 通海县| 南宁市| 平江县| 界首市| 温州市| 扎兰屯市| 临海市| 司法| 萨嘎县| 柳江县| 淄博市| 出国| 神木县| 纳雍县| 杨浦区| 自贡市| 巢湖市| 电白县| 西乌| 新安县| 墨脱县| 金平| 江源县| 南丰县| 泸定县| 宽城| 恭城| 乌审旗|