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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  Solitron小信號JFETs 2024-10-10 09:12:33

  Solitron公司生產(chǎn)的JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn)小信號JFETs，提供N型和P型兩種類型，導(dǎo)通電阻小于25Ω，經(jīng)過S級等效篩選，是Vishay和Siliconix產(chǎn)品的優(yōu)越替代品。